[发明专利]用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改善的a-Si：H吸收器层无效
| 申请号： | 201180053284.5 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103222071A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | M.费西奥鲁-莫拉里乌 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康太阳能股份公司（特吕巴赫） |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0376;H01L31/0392;H01L31/077 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑冀之;王忠忠 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 为了改善非晶硅吸收器层处于单一构造或串联构造的薄膜太阳能电池，通过在RF-SiH4等离子体中进行等离子体加强蒸汽沉积来制造所针对的a-Si:H的吸收器层，其中以低于0.5mbar的过程压力和以低于370W/14000cm2的RF功率密度中至少之一进行所述沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 si 薄膜 太阳能电池 改善 吸收 | ||
【主权项】：
一种通过在RF‑SiH4等离子体中进行等离子体加强蒸汽沉积PECVD来制造薄膜太阳能电池的a‑Si:H的吸收器层的方法，所述方法包括下述步骤中的至少之一a）以低于0.5 mbar的过程压力进行所述沉积b）以低于370W/14 000 cm2的RF功率密度进行所述沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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