[发明专利]烧结的器件无效

申请号：	201180053508.2	申请日：	2011-10-05
公开（公告）号：	CN103222032A	公开（公告）日：	2013-07-24
发明（设计）人：	亚切克·雅西尼亚克;布朗东·麦克唐纳;保罗·马尔瓦尼	申请（专利权）人：	联邦科学和工业研究组织;墨尔本大学
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;B82Y40/00;H01L21/208;H01L21/324;H01L21/368;H01L21/477
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	顾晋伟;全万志
地址：	澳大利亚澳大***	国省代码：	澳大利亚;AU
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种用于在基底上制备无机膜的方法，该方法包括：(a)通过使基底与纳米颗粒分散体接触来在基底上沉积纳米颗粒层；(b)对所沉积的纳米颗粒层进行处理以防止在后续的层沉积步骤中纳米颗粒的脱落；(c)在基底上的前述纳米颗粒层上沉积另一纳米颗粒层；(d)至少又一次重复处理步骤(b)和沉积步骤(c)；以及(e)任选地，在步骤(a)至步骤(d)之后，对制备的多层膜进行热退火；其中该方法包括其中对一个或更多个纳米颗粒层进行热退火的至少一个热退火步骤。
搜索关键词：	烧结器件
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【主权项】：

一种用于在基底上制备无机膜的方法，所述方法包括：(a)通过使所述基底与纳米颗粒分散体接触而在所述基底上沉积纳米颗粒层；(b)对所沉积的纳米颗粒层进行处理以防止在后续的层沉积步骤中纳米颗粒脱落；(c)在所述基底上的前述纳米颗粒层上沉积另一纳米颗粒层；(d)至少再一次重复处理步骤(b)和沉积步骤(c)；以及(e)任选地，对采用步骤(a)至步骤(d)制备的多层膜进行热退火；其中所述方法包括其中对一个或更多个所述纳米颗粒层进行热退火的至少一个热退火步骤。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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