[发明专利]n型SiC单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201180054125.7 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103210127A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 楠一彦;龟井一人;矢代将齐;森口晃治;冈田信宏;旦野克典;大黑宽典 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种n型SiC单晶的制造方法，其包括：准备具备腔室的制造装置的工序，所述腔室具有配置坩埚的区域；将所述配置坩埚的区域加热，并且将所述腔室真空排气的工序；在所述真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到所述腔室内的工序；利用加热使配置于所述区域的坩埚中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液的工序；以及在所述混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于所述SiC熔液，在所述SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。
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