[发明专利]创建场效应晶体管器件中的各向异性扩散结

摘要

一种用于形成晶体管器件的方法，包括在绝缘体上半导体衬底中注入扩散抑制种类物，该绝缘体上半导体衬底包括大块衬底、隐埋绝缘体层、以及绝缘体上半导体层，绝缘体上半导体层具有在其上形成的一个或多个栅极结构使得扩散抑制种类物被设置在绝缘体上半导体层的与沟道区相对应的部分中，并且被设置在隐埋绝缘体层的与源极和漏极区相对应的部分中。在源极和漏极区中引入晶体管掺杂剂种类物。执行退火以便在基本垂直的方向上扩散晶体管掺杂剂种类物而同时基本防止晶体管掺杂剂种类物横向扩散到沟道区中。

主权项

一种用于形成晶体管器件的方法，所述方法包括：在绝缘体上半导体衬底中注入扩散抑制种类物，其中所述绝缘体上半导体衬底包括大块衬底、隐埋绝缘体层、以及绝缘体上半导体层，所述绝缘体上半导体层具有在其上形成的一个或多个栅极结构使得所述扩散抑制种类物被设置在所述绝缘体上半导体层的与沟道区相对应的部分中，并且被设置在所述隐埋绝缘体层的与源极和漏极区相对应的部分中；在所述源极和漏极区中引入晶体管掺杂剂种类物；以及执行退火以便在基本垂直的方向上扩散所述晶体管掺杂剂种类物而同时基本防止所述晶体管掺杂剂种类物横向扩散到所述沟道区中。