[发明专利]布线构造有效
| 申请号： | 201180054334.1 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103222061B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 前田刚彰;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 海坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种布线构造，在有机EL显示器、液晶显示器等显示装置中，即使不设置蚀刻阻挡层，湿法蚀刻时的加工性也优异。本发明涉及一种布线构造，其依次具有基板、薄膜晶体管的半导体层、和金属布线膜，并且在所述半导体层与所述金属布线膜之间具有阻挡层，所述半导体层由氧化物半导体构成，所述阻挡层具有高熔点金属系薄膜和Si薄膜的层叠构造，所述Si薄膜与所述半导体层直接连接。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 构造 | ||
【主权项】：
一种布线构造，其依次具有基板、薄膜晶体管的半导体层、金属布线膜和保护膜，并且在所述半导体层与所述金属布线膜之间具有阻挡层，其特征在于，所述半导体层由氧化物半导体构成，所述阻挡层具有高熔点金属系薄膜和Si薄膜的层叠构造，所述Si薄膜与所述半导体层直接连接，所述保护膜经过所述金属布线膜中被湿法蚀刻的部分、所述高熔点金属系薄膜中被湿法蚀刻的部分以及所述Si薄膜中被干法蚀刻的部分而与所述半导体层直接连接，或者，所述保护膜经过所述金属布线膜中被湿法蚀刻的部分以及所述高熔点金属系薄膜中被湿法蚀刻的部分而隔着所述Si薄膜中的非导体化的部分与所述半导体层连接，所述Si薄膜的膜厚是15～30nm。
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