[发明专利]用于光电应用的沉积方法和装置无效
申请号: | 201180054754.X | 申请日: | 2011-09-15 |
公开(公告)号: | CN103210505A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 凯尔·L·富伊达拉;朱中亮;大卫·帕多维茨;保罗·R·马尔科夫·约翰逊;韦恩·A·乔米特兹;马修·C·库赫塔 | 申请(专利权)人: | 普瑞凯瑟安质提克斯公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吴小瑛;邹宗亮 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种通过在衬底上沉积各种组分层并将所述组分转化为薄膜光电吸收材料来制造太阳能电池的方法。本发明的方法可用于在制造太阳能电池的过程中控制金属原子的化学计量以得到特定浓度,并提供金属原子浓度梯度。在使薄膜光电吸收材料退火的过程中可使用硒层。 | ||
搜索关键词: | 用于 光电 应用 沉积 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种在衬底上制造薄膜太阳能电池的方法,其包括:(a)提供涂布有电接触层的衬底;(b)在所述衬底的所述接触层上沉积第一油墨的初始层,其中所述第一油墨包含在量上富含第11族原子的第一聚合前体化合物;(c)加热所述初始层;(d)在所述初始层上沉积第二油墨的主要层,其中所述第二油墨包含在量上缺乏第11族原子的第二聚合前体化合物;及(e)加热所述初始层和所述主要层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的