[发明专利]用于制造电子器件的方法和电子器件有效
| 申请号： | 201180054917.4 | 申请日： | 2011-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN103210519A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 迪尔克·贝克;埃尔温·兰;蒂洛·罗伊施 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造电子器件（240）的方法（100），所述方法能够具有：借助于原子层沉积法将电极生长层（226）施加（102）在层结构上或施加在层结构上方；并且将电极（232）施加（104）在电极生长层（226）上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
用于制造电子器件（240）的方法（100），其中所述方法具有：·借助于原子层沉积法将电极生长层（226）施加（102）在层结构上或施加在层结构上方；并且·将电极（232）施加（104）在所述电极生长层（226）上。
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