[发明专利]用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改进的a-Si:H吸收层

摘要

本发明涉及一种用于制造薄膜太阳能电池的方法，包括以下顺序的步骤：a)沉积正掺杂的硅层(3)，b1)以第一沉积速率沉积第一本征a-Si:H层(21)，b2)以第二沉积速率沉积第二本征a-Si:H层(22)，以及c)沉积负掺杂的硅层(5)，其中，所述第二沉积速率大于所述第一沉积速率。制造的薄膜太阳能电池的特征是：提高了初始效率和稳定效率，同时将总体沉积速率（即便是沉积两个不同的本征层(21、22)的总体沉积速率）保持在合理的和经济的水平。

主权项

用于制造薄膜太阳能电池的方法，包括以下顺序的步骤：a)沉积正掺杂的硅层(3)，b1)以第一沉积速率沉积第一本征a‑Si:H层(21)，b2)以第二沉积速率沉积第二本征a‑Si:H层(22)，以及c)沉积负掺杂的硅层(5)，其中，所述第二沉积速率大于所述第一沉积速率。