[发明专利]用于特征镀敷的选择性晶种层处理有效
| 申请号： | 201180055457.7 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103222350A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 奥马尔·J·贝希尔;米林德·P·沙阿;萨斯达尔·莫瓦 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/10 | 分类号： | H05K3/10;H05K3/18;C23C18/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 常规金属化工艺在高密度或小特征大小的图案处会出现故障。举例来说，在图案化期间，干膜可能会塌陷或剥离，从而导致所述金属化图案中出现短路或断路。一种用于集成电路的金属化的示范性方法包括：在电介质层(504)中形成例如沟槽、衬垫和平面等特征(520)；以及在所述电介质层的期望特征中沉积和选择性处理晶种层(506)。所述晶种层(508)的经处理区域可以用作晶种，用于将例如铜等导电材料(510)无电沉积到所述特征中。在所述晶种层是催化油墨时，可以通过用激光固化所述催化油墨来处理所述晶种层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 特征 选择性 晶种层 处理 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含：在电介质材料中形成多个特征；在所述电介质材料上和所述多个特征内沉积晶种层；选择性处理所述多个特征内的所述晶种层的若干部分；移除未处理晶种层部分；以及镀敷所述经处理晶种层部分以选择性填充所述多个特征。
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