[发明专利]背面电极型太阳能电池无效
| 申请号： | 201180055537.2 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN103222064A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 小平真继 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背面电极型太阳能电池（1、51），具有：第一导电型或者第二导电型的硅衬底（4）；第一导电型半导体区域（9、10）及第二导电型半导体区域（9、10），其设置在与硅衬底（4）的受光面相反一侧的面即背面；第一导电型用电极（2、3），其设置于第一导电型半导体区域（9、10）；第二导电型用电极（2、3），其设置于第二导电型半导体区域（9、10）；外周缘半导体区域（71、72），其在硅衬底（4）的背面设置在第一导电型半导体区域（9、10）及第二导电型半导体区域（9、10）的形成区域周围；外周缘半导体区域（71、72）不与第一导电型用电极（2、3）及第二导电型用电极（2、3）接触。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 电极 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种背面电极型太阳能电池（1、51），其特征在于，具有：第一导电型或者第二导电型的硅衬底（4）；第一导电型半导体区域（9、10）及第二导电型半导体区域（9、10），其设置在与所述硅衬底（4）的受光面相反一侧的面即背面；第一导电型用电极（2、3），其设置于所述第一导电型半导体区域（9、10）；第二导电型用电极（2、3），其设置于所述第二导电型半导体区域（9、10）；外周缘半导体区域（71、72），其在所述硅衬底（4）的所述背面设置在所述第一导电型半导体区域（9、10）及所述第二导电型半导体区域（9、10）的形成区域周围；所述外周缘半导体区域（71、72）不与所述第一导电型用电极（2、3）及所述第二导电型用电极（2、3）接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
