[发明专利]用于锗和硼离子注入的助气的实施有效
| 申请号： | 201180055553.1 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103222029A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 奈尔·卡尔文;谢泽仁 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开的是用于提高离子源的性能和延长离子源的寿命的离子注入系统。将含氟掺杂气源与一种或多种助气一起引入至离子室中。一种或多种助气可以包括氢或氪。助气缓和了由离子源室中的自由氟离子所引起的导致离子源故障的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 实施 | ||
【主权项】：
一种用于提高离子注入器中的离子源的性能和延长所述离子源的寿命的离子注入系统，所述离子注入系统包括：离子源组件，所述离子源组件包括掺杂气控制器、助气控制器以及离子源室，所述掺杂气控制器操作上控制含氟掺杂气源至离子源室中的速率和流动，并且所述助气控制器操作上控制助气至离子源室中的速率和流动，其中所述助气与所述含氟掺杂气反应；束线组件，所述束线组件从所述离子源接收所述离子束并且处理所述离子束；以及标靶位置，所述标靶位置从所述束线组件接收所述离子束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾克塞利斯科技公司，未经艾克塞利斯科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180055553.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
