[发明专利]薄膜晶体管基板、具有它的显示装置和薄膜晶体管基板的制造方法

摘要

TFT(20)包括：由氧化物半导体构成的半导体层(12sl)；在半导体层(12sl)上相互分离地设置的源极电极(13sd)和漏极电极(13dd)；覆盖源极电极(13sd)与漏极电极(13dd)之间的半导体层部分的栅极绝缘膜(15)；和隔着栅极绝缘膜(15)与半导体层(12sl)重叠的栅极电极(18gd)，其中，源极电极(13sd)与源极配线(13sl)形成为一体，栅极电极(18gd)与栅极配线(18gl)形成为一体，半导体层(12sl)还延伸至源极配线(13sl)的下层，源极配线(13sl)和源极电极(13sd)以及漏极电极(13dd)整体配置在半导体层(12sl)上。

主权项

一种薄膜晶体管基板，其特征在于：所述薄膜晶体管基板包括：基底基板；在所述基底基板上以相互平行地延伸的方式设置的多个源极配线；在与所述各源极配线交叉的方向上以相互平行地延伸的方式设置的多个栅极配线；和在所述各源极配线与所述各栅极配线的每个交叉部设置的薄膜晶体管和像素电极，所述各薄膜晶体管包括：由氧化物半导体构成的半导体层；在该半导体层上相互分离地设置的源极电极和漏极电极；覆盖这些源极电极与漏极电极之间的半导体层部分的栅极绝缘膜；和隔着该栅极绝缘膜与所述半导体层重叠的栅极电极，所述各源极电极与所对应的所述源极配线形成为一体，所述各栅极电极与所对应的所述栅极配线形成为一体，所述各半导体层还延伸至所对应的所述源极配线的下层，所述各源极配线和各源极电极以及各漏极电极整体配置在所述各半导体层上。