[发明专利]垂直扩散金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201180055779.1 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103222058A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·迪克斯;丹尼尔·杰克逊 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;G06F15/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种垂直扩散金属氧化物半导体DMOS场效晶体管FET具有单元结构，所述单元结构具有：衬底(115)；在所述衬底上的具有第一传导类型的外延层或阱(110)；具有第二传导类型的第一基极区域及第二基极区域(120、125)，其布置于所述外延层或阱内且间隔开预定义的距离；具有第一传导类型的第一源极区域及第二源极区域(130)，其分别布置于所述第一基极区域及所述第二基极区域内；栅极结构(140、145)，其通过绝缘层而与所述外延层或阱绝缘且布置于所述第一基极区域与所述第二基极区域之间的区域上方且至少部分覆盖所述第一基极区域及所述第二基极区域，其中所述栅极结构包括间隔开的第一栅极(140)及第二栅极(145)，其中每一栅极覆盖所述基极区域的相应部分。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直扩散金属氧化物半导体DMOS场效晶体管FET，其具有单元结构，所述单元结构包括：衬底；在所述衬底上的具有第一传导类型的外延层或阱；具有第二传导类型的第一基极区域及第二基极区域，其布置于所述外延层或阱内且间隔开预定义的距离；具有第一传导类型的第一源极区域及第二源极区域，其分别布置于所述第一基极区域及所述第二基极区域内；栅极结构，其通过绝缘层而与所述外延层或阱绝缘且布置于所述第一基极区域与所述第二基极区域之间的区域上方且至少部分覆盖所述第一基极区域及所述第二基极区域，其中所述栅极结构包括间隔开的第一栅极及第二栅极，其中每一栅极覆盖所述基极区域的相应部分。
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