[发明专利]应用在无芯基板工艺中的电解金或金钯表面终饰有效
申请号: | 201180056629.2 | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN103238204A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | T·吴;C·古鲁默西 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了包括具有表面终饰的无芯基板的电子组件及其制造方法。一种方法包括在图案化光致抗蚀剂层的开口中的金属芯上电解电镀第一铜层。在开口中的第一铜层上电解电镀金层。在金层上形成电解电镀钯层。在钯层上电解电镀第二铜层。在电解电镀第二铜层之后,去除金属芯和第一铜层,其中保留无芯基板。并描述和提出了其它实施例。 | ||
搜索关键词: | 应用 无芯基板 工艺 中的 电解 表面 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:提供金属芯,所述金属包括铜;在所述金属芯上形成图案化光致抗蚀剂层;在所述图案化光致抗蚀剂层的开口中的金属芯上电解电镀第一铜层;在所述开口中的所述第一铜层上电解电镀金层,使得所述第一铜层定位在所述金属芯与所述金层之间;在所述金层上电解电镀钯层,使得所述金层定位在所述第一铜层与所述钯层之间;在所述钯层上电解电镀第二铜层;其中,所述金层包括与所述第一铜层直接接触的第一表面和与所述钯层直接接触的第二表面;其中,所述钯层包括与所述金层直接接触的第一表面和与所述第二铜层直接接触的第二表面;以及在电解电镀所述第二铜层之后,去除所述金属芯和所述第一铜层,其中保留无芯基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造