[发明专利]等离子体加工装置

摘要

本发明涉及一种等离子体加工装置，用于在基片连续加工设备中加工至少一个平坦的基片，其中该等离子体加工装置具有：至少一个基片承载电极，放置在该基片承载电极上的基片可以被输送通过该基片连续加工设备，并且该基片承载电极对接地电位是直流绝缘的；一个平面式构成的高频电极，该高频电极上施加有交流电压并且设置在放置于该基片承载电极上的至少一个基片之上的一个间距处；一个罐形地在该基片承载电极之上构成的暗室屏蔽物，其中该罐形暗室屏蔽物的开口区域与该至少一个基片对齐，并且该罐形暗室屏蔽物具有一个使该暗室屏蔽物向外展宽的边缘，该边缘紧密地安排在该基片承载电极之上并且平行于其表面安排，并且其中在该等离子体加工装置运行时，在该基片承载电极或（一个或多个）基片、高频电极与暗室屏蔽物之间设有一个等离子体室，用于形成一个低压等离子体；至少一个在背侧上且平行于该基片承载电极安排的、导电的第二电极；以及一个气体供应装置，用于在该等离子体室中引入处理气体。本发明的目的是，以尽可能低的技术耗费如下地扩展上述技术类型的等离子体加工装置：在限定的基片传输和有利的气体送入和排出的情况下，即使对大面积的基片或者带有许多单独基片的基片载体也可以有从等离子体室发出的离子与基片表面的高能量交互作用。该目的通过一上述类型的等离子体加工装置实现，其中该第二电极是一个处于接地电位的接地电极，其中该基片承载电极可以电容性地偶合在该接地电极上，并且该气体供应装置具有至少一个设置在该高频电极和/或暗室屏蔽物中的气体入口和至少一个设置在该暗室屏蔽物中的气体出口。

主权项

一种用于在基片连续加工设备中加工至少一个平坦的基片（28）的等离子体加工装置，其中该等离子体加工装置具有：至少一个基片承载电极（27），放置在该基片承载电极上的基片可以被输送通过该基片连续加工设备，并且该基片承载电极对接地电位是直流绝缘的；一个平面式构成的高频电极（2），该高频电极上施加有交流电压并且该高频电极被设置在放置于该基片承载电极（27）上的至少一个基片（28）之上的一个间距处；一个罐形地在该基片承载电极（27）之上构成的暗室屏蔽物（1），其中该罐形暗室屏蔽物（1）的开口区域与该至少一个基片（28）对齐，并且该罐形暗室屏蔽物（1）具有一个使该暗室屏蔽物（1）向外展宽的边缘（6），该边缘紧密地安排在该基片承载电极（27）之上并且平行于其表面安排，并且其中在该等离子体加工装置运行时，在该基片承载电极（27）或者一个或多个基片（28）、该高频电极（2）与该暗室屏蔽物（1）之间设有一用于形成低压等离子体的等离子体室（5）；至少一个在背侧上且平行于该基片承载电极（27）安排的、导电的第二电极（25）；以及一个气体供应装置用于向该等离子体室（5）中引入处理气体；其特征在于，该第二电极是一置于接地电位的接地电极（25），其中该基片承载电极（27）可以电容性地偶合在该接地电极（25）上，并且该气体供应装置具有至少一个设置在该高频电极（2）和/或该暗室屏蔽物（1）中的气体入口（14，15，16；31，37，32，34）和至少一个设置在该暗室屏蔽物（1）中的气体出口（10，8；9，7；9，38，40）。