[发明专利]用于在UV腔室中调节晶圆处理轮廓的方法及装置无效
| 申请号： | 201180056998.1 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103229277A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | S·巴录佳;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;A·T·迪莫斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用以提供遍布基板表面的均匀UV辐射照射轮廓的方法与装置。在一实施例中，一种基板处理工具包括：处理腔室，该处理腔室定义处理区域；基板支撑件，该基板支撑件用以支撑基板在该处理区域内；紫外线(UV)辐射源，该UV辐射源和该基板支撑件隔离，且该UV辐射源被配置成朝向设置在该基板支撑件上的该基板传输紫外线辐射；以及光透输窗口，该光透射窗口设置在该UV辐射源与该基板支撑件之间，该光透射窗口具有被涂覆在该光透射窗口上的光学膜层。在一示例中，该光学膜层在径向方向上具有非均匀厚度轮廓，其中该光学膜层在该光透射窗口的周边区域处的厚度比在该光学膜层的中心区域处的厚度相对更厚。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 uv 腔室中 调节 处理 轮廓 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理工具，包含：处理腔室，该处理腔室定义处理区域；基板支撑件，该基板支撑件用以支撑一基板在该处理区域内；紫外线(UV)辐射源，该UV辐射源和该基板支撑件隔离，且该UV辐射源配置成朝向设置在该基板支撑件上的该基板传输紫外线辐射；以及光透射窗口，该光透射窗口设置在该UV辐射源与该基板支撑件之间，该光透射窗口具有被涂覆在该光透射窗口上的第一光学膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
