[发明专利]介电涂层和制品有效
申请号: | 201180057477.8 | 申请日: | 2011-11-02 |
公开(公告)号: | CN103229249B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | R·吕格尔;M·昆茨 | 申请(专利权)人: | 默克专利股份有限公司 |
主分类号: | H01B3/18 | 分类号: | H01B3/18;H01B3/00;C08K3/013;C09D101/18;C09D7/41;C09D7/61;C09D5/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 邓毅 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及具有高的但是精确定义的表面电阻率的介电涂层及制品。 | ||
搜索关键词: | 介电涂层 表面电阻率 | ||
【主权项】:
1.介电的制品,特征在于,所述制品均具有大于或等于108欧姆的表面电阻率,包含一种或多种半导体颜料、介电粘结剂和任选地其他的介电添加剂,其中在所述制品中所述半导体颜料的颜料体积浓度≥10%,并且所述半导体颜料的粉末电阻率≥100千欧姆·厘米并且小于1千兆欧姆·厘米;并且所述颜料选自下列组:云母薄片+掺杂的SnO2层,云母薄片+掺杂的SnO2层+TiO2层,云母薄片+掺杂的SnO2层+SiO2层,云母薄片+掺杂的SnO2层+ZnO层,云母薄片+掺杂的SnO2层+Cr2O3层,云母薄片+掺杂的SnO2层+Al2O3层,Al2O3薄片+掺杂的SnO2层,Al2O3薄片+掺杂的SnO2层+TiO2层,Al2O3薄片+掺杂的SnO2层+SiO2层,Al2O3薄片+掺杂的SnO2层+ZnO层,Al2O3薄片+掺杂的SnO2层+Cr2O3层,Al2O3薄片+掺杂的SnO2层+Al2O3层。
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