[发明专利]具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写入辅助电路

摘要

描述了一种具有泄漏抑制和电平控制的静态随机存取存储器（SRAM）写入辅助电路（400）。在一个实施例中，所述SRAM写入辅助电路（400）增大在写入周期内提供的升压量，而在另一个实施例中，所述SRAM写入辅助电路（400）限制在较高电源电压处提供的升压量。

主权项

一种器件，包括：存储阵列，其包括：多个以行和列布置的静态随机存取存储器（SRAM）单元；多个真位线，每个真位线连接到所述存储阵列的一个列；以及多个补位线，每个补位线与所述多个真位线之一形成差分对并与其在同一列中；以及写入辅助电路，其连接到所述存储阵列的所述多个SRAM单元的每一个中的每个差分位线对，所述写入辅助电路包括：负升压节点；放电器件，其耦合到地和所述负升压节点，所述放电器件被配置为接收第一控制信号；升压电容器，其耦合到所述负升压节点，所述升压电容器被配置为接收第二控制信号；多个位线控制器件，其被配置为控制写入数据线以便在写入周期内写入位线，所述多个位线控制器件中的每一个包括耦合到所述负升压节点的晶体管，其中所述多个位线控制器件的每个晶体管的栅极‑源极端子连接到所述负升压节点；以及位线控制选择器件，其耦合到所述多个位线控制器件和所述负升压节点，所述位线控制选择器件被配置为在所述写入周期内选择所述多个位线控制器件之一，其中未被选择的多个位线控制器件的每个所述晶体管的所述栅极‑源极端子从所述负升压节点接收负电压，并将所述负电压馈送到所述栅极以便最小化泄漏。