[发明专利]用于离子注入的方法和装置

摘要

本发明涉及对至少一个基片进行离子注入的离子注入装置和方法，其中，通过放电空间内的等离子体源在所述离子注入装置中产生具有至少1010cm-3、例如1010cm-3～1012cm-3的离子密度的等离子体，其中所述放电空间在待进行注入的所述基片的方向上受到具有彼此间隔开的贯通孔的等离子体限制壁的限制，所述等离子体限制壁处于等离子体电势或最大值为±100V的电势，并且，在所述离子注入装置内，所述放电空间内的压力高于所述基片所处的空间内的压力；其中所述基片承载在基片支架上，其基片表面与所述等离子体限制壁对置；并且其中，所述基片和/或所述基片支架用作基片电极，所述基片电极置于相对于所述等离子体为高负电势，以使得离子从所述等离子体中在所述基片的方向上被加速并注入到所述基片中。本发明的一个目的是提供用于离子注入的方法和装置，所述方法和装置使得能够以最大可能的效率对大量基片进行区域性和选择性的离子注入。该目的通过以上提及的一般类型的方法和离子注入装置实现，其中，所述至少一个基片和/或所述基片支架在基片传输装置上移动，所述基片传输装置与所述等离子体限制壁对置地沿朝向所述放电空间的基片传输方向且顺着所述放电空间连续或不连续地行进，并穿过所述放电空间，其中，在所述离子注入过程中，所述放电空间的气体供应及气体排出与所述至少一个基片所处的空间是分开的。

主权项

一种用于对至少一个基片(2)进行离子注入的方法，其中，通过放电空间(4)内的等离子体源(3)在离子注入装置(1，1’)中产生离子密度为至少1010cm‑3的等离子体，其中，所述放电空间(4)在待进行注入的所述基片(2)的方向上受到具有彼此间隔开的贯通孔(5)的等离子体限制壁(6)的限制，所述等离子体限制壁处于等离子体电势或最大值为±100V的电势，并且在所述离子注入装置(1，1’)内，所述放电空间内的压力高于所述基片(2)所处的空间内的压力；其中，所述基片(2)承载在基片支架(7)上，其基片表面(8)与所述等离子体限制壁(6)对置；并且其中，所述基片(2)和/或所述基片支架(7)用作基片电极，所述基片电极置于相对于所述等离子体为高负电势，以使得离子从所述等离子体中在所述基片(2)的方向上被加速并且注入到所述基片(2)中，其中，所述至少一个基片(2)和/或所述基片支架(7)在基片传输装置上移动，所述基片传输装置与所述等离子体限制壁(6)对置地沿朝向所述放电空间(4)的基片传输方向(T)且顺着所述放电空间(4)连续或不连续地行进，并穿过所述放电空间(4)，其中，在所述离子注入过程中，所述放电空间(4)的气体供应及气体排出与所述至少一个基片(2)所处的空间是分开的。