[发明专利]配线结构和溅射靶材有效
| 申请号： | 201180057732.9 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN103238217B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 森田晋也;三木绫;安野聪;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 龚敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的配线结构在基板上至少具有栅极绝缘膜和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层以及第2氧化物半导体层的层叠体，该第1氧化物半导体层包括选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(Z组元素)，该第2氧化物半导体层含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(X组元素)和选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素(Y组元素)，并且所述第2氧化物半导体层形成在所述第1氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间。根据本发明，得到了开关特性和耐应力性良好、尤其是施加应力前后的阈值电压变化量小、稳定性优异的配线结构。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 溅射 | ||
【主权项】：
一种配线结构，其特征在于，该配线结构是在基板上至少具有栅极绝缘膜和氧化物半导体层的配线结构，其中，所述氧化物半导体层为具有第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，该第1氧化物半导体层包括选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素即Z组元素，该第2氧化物半导体层含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素即X组元素和选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素即Y组元素，且，所述第2氧化物半导体层形成在所述第1氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间，并且，在所述Y组元素不含有Al时，Y组元素的总计含量相对于构成所述第2氧化物半导体层的全部金属的总计含量为0.5～8.0原子％，在所述Y组元素含有Al时，Y组元素的总计含量相对于构成所述第2氧化物半导体层的全部金属的总计含量为0.5～3.0原子％。
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