[发明专利]半导体装置、TFT基板以及半导体装置与TFT基板的制造方法有效
| 申请号： | 201180057894.2 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103250255A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 中泽淳 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/417;H05B33/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明所涉及的半导体装置(100)为具有薄膜晶体管(10)的半导体装置，该半导体装置包括：薄膜晶体管(10)的栅极电极(12)；形成在栅极电极(12)之上的栅极绝缘层(13)；配置在栅极绝缘层(13)之上的氧化物半导体层(15)；和形成在氧化物半导体层(15)之上的源极电极(17)和漏极电极(18)。从与半导体装置(100)的基板面垂直的方向看时，源极电极(17)或漏极电极(18)将栅极电极(12)的边缘与氧化物半导体层(15)的边缘交叉的多个部位中的至少一个部位覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 tft 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于：其为具有薄膜晶体管的半导体装置，所述半导体装置包括：所述薄膜晶体管的栅极电极；形成在所述栅极电极之上的栅极绝缘层；配置在所述栅极绝缘层之上的、所述薄膜晶体管的氧化物半导体层；和形成在所述氧化物半导体层之上的、所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，从与所述半导体装置的基板面垂直的方向看时，所述源极电极或所述漏极电极将所述栅极电极的边缘与所述氧化物半导体层的边缘交叉的多个部位中的至少一个部位覆盖。
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