[发明专利]荧光体的制造方法无效
| 申请号： | 201180057940.9 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103237866A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 户田健司;上松和义;佐藤峰夫;石垣雅;川上义贵;梅田铁 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人新泻大学;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/08 | 分类号： | C09K11/08;C09K11/59;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅酸盐系氧氮化物荧光体的制造方法，所述制造方法包括：在使原料混合物与含有气相的Si的含Si气体接触的同时进行烧成，生成硅酸盐系氧氮化物荧光体的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅酸盐系氧氮化物荧光体的制造方法，其包括：在使原料混合物与含有气相的Si的含Si气体接触的同时进行烧成，生成硅酸盐系氧氮化物荧光体的工序。
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