[发明专利]场发射显示器装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种场发射显示装置及其制造方法，其中下板包括：形成在基体上的阴极电极；形成在阴极电极上的扩散阻断层；形成在扩散阻断层上的金属籽晶层；碳纳米管，其在金属籽晶层的晶粒上生长成单晶体；栅绝缘层，其形成在具有阴极电极、扩散阻断层以及金属籽晶层的基体上，以覆盖碳纳米管；以及形成在栅绝缘层上的栅电极。

主权项

一种场发射显示器（FED），包括：上板，所述上板包括形成在上基体上的阳极电极和荧光粉；下板，所述下板面对所述上板，且在所述上板和所述下板之间具有真空空间间隙，所述下板包括形成在下基体上的多个薄膜图案；以及间隔体，所述间隔体设置在所述上板和所述下板之间以保持所述真空空间间隙，其中所述下板包括：阴极电极，所述阴极电极包括钼（Mo）、铝（Al）、铜（Cu）、铬（Cr）及其合金中的一种或多种金属，并形成在所述基体上；扩散阻断层，所述扩散阻断层包括钛（Ti）、钨（W）、钽（Ta）以及三种金属的合金、硅以及硅化合物中的任一种或混合物，并形成在所述阴极电极上；金属籽晶，所述金属籽晶通过利用镍（Ni）和铁（Fe）中的任一种形成在所述扩散阻断层上，并包括已粒化的晶粒；碳纳米管（CNT），所述碳纳米管从所述金属籽晶的晶粒中生长为单晶体；栅绝缘层，所述栅绝缘层形成在形成有所述阴极电极、所述扩散阻断层以及所述金属籽晶的所述基体上，以覆盖所述CNT；以及栅电极，所述栅电极包括钼（Mo）、铝（Al）、铜（Cu）、铬（Cr）及其合金中的一种或多种金属，并形成在所述栅绝缘层上，其中，所述CNT的上端部能通过所述栅电极内的栅孔暴露。