[发明专利]直接晶片结合有效
| 申请号： | 201180058077.9 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103262212B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | D·M·布沙瑞;D·C·罗 | 申请（专利权）人： | 波音公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 赵蓉民,张全信 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了直接晶片结合方法，其包括在第一和第二晶片上提供结合层，和在热和压力下直接将第一和第二晶片结合在一起。该方法可用于通过在器件之间引入高度掺杂的(A1)(Ga)InP(As)(Sb)层，将GaAs基、InP基、GaP基、GaSb基或Ga(In)N基器件直接结合至GaAs器件。结合层材料形成具有高结合强度、低电阻和高光透射率的结合。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 晶片 结合 | ||
【主权项】：
用于光电器件的组件(200，200a)，包括：第一子组件，其进一步包括：第一GaAs晶片衬底(110，203)；在所述第一GaAs晶片衬底(110，203)上的第一结合层(120，220)；第二子组件，其进一步包括：第二InP晶片衬底(130，260)；和在所述第二InP晶片衬底(130，260)上的第二结合层(140，240)；其中所述第一结合层(120，220)和所述第二结合层(140，240)直接结合，以形成界面，并且形成组件；所述组件具有跨过所述第一结合层和所述第二结合层之间的结合界面的大于4J/m2的结合强度；和其中所述第一结合层(120，220)和所述第二结合层(140，240)分别与所述第一GaAs晶片衬底(110，203)和所述第二InP晶片衬底(130，260)晶格匹配；并且其中所述第一结合层和所述第二结合层为(Al)(Ga)InP(As)(Sb)层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
