[发明专利]用于转换半导体层的方法有效
| 申请号： | 201180058196.4 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103229602B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | P.施滕纳;M.帕茨;M.克勒;S.韦伯 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/26 | 分类号： | H05H1/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;卢江 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于转换半导体层的方法，尤其是用于将非晶硅层转换成晶体硅层的方法，其中转换通过利用等离子体对半导体层进行处理来进行，该等离子体由配备有等离子体喷嘴（1）的等离子体源来产生。此外，本发明还涉及根据该方法制造的半导体层、包括这样的半导体层的电子和光电子产品以及用于执行根据本发明的方法的等离子体源。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 转换 半导体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于同时将非晶半导体层转换成晶体半导体层并且氢气钝化该半导体层的方法，其中，转换通过利用等离子体对半导体层进行处理来实现，该等离子体由配备有等离子体喷嘴（1）的等离子体源来产生，并且其中半导体层被回火到在≥150℃到≤500℃之间的温度上，其中所述等离子体源具有布置在所述等离子体喷嘴（1）的空腔中的并且与所述等离子体喷嘴（1）通过绝缘体（3）电绝缘的内电极，以通过自维持的气体放电来产生等离子体，其中所述等离子体喷嘴（1）用作零电势的电极，其中等离子体由工艺气体产生，该工艺气体包括≤40体积%的一个/多个惰性气体、≥50体积%到≤90体积%的氮气和≤10体积%的氢气，其中氮气、一个/多个惰性气体和/或氢气的体积百分比值之和总共结果是100体积百分比。
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