[发明专利]用于制造发射辐射的半导体芯片的方法、发射辐射的半导体芯片以及发射辐射的器件有效
| 申请号： | 201180058228.0 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103238224A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 基尔斯廷·彼得森;弗兰克·鲍曼;多米尼克·艾泽特;崔海玲 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，其中将第一波长转换层（8）施加到半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方，其中施加方法选自：沉降、电泳。此外，在半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方施加第二波长转换层（4），其中第二波长转换层（4）在单独的方法步骤中制造且随后施加或者施加方法选自：沉降、电泳、印刷。此外，提出一种发射辐射的半导体芯片以及一种发射辐射的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 发射 辐射 半导体 芯片 方法 以及 器件 | ||
【主权项】：
用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，所述方法具有以下步骤：‑提供半导体本体（1），所述半导体本体设置用于从辐射出射面（2）发射第一波长范围的电磁辐射，‑将具有第一波长转换材料（9）的第一波长转换层（8）施加到所述半导体本体（1）的所述辐射出射面（2）的上方，所述第一波长转换材料将所述第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的辐射，其中施加方法选自：沉降、电泳，以及‑将具有第二波长转换材料（6）的第二波长转换层（4）施加到所述半导体本体（1）的辐射出射面（2）的上方，所述第二波长转换材料将所述第一波长范围的辐射转换成第三波长范围的辐射，其中所述第二波长转换层（4）在单独的方法步骤中制造且随后施加或者施加方法选自：沉降、电泳、印刷。
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