[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201180058644.0 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103250243A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 盐田裕基;冈诚次;山口义弘 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 崔成哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于得到一种散热性提高、并且绝缘性提高的半导体装置。具备半导体元件（1a）、与半导体元件（1a）连接的引线框架（4a）、隔着第1绝缘层（5）配置于引线框架（4a）的金属基体板（6）、以及在金属基体板（6）中的与配置了第1绝缘层（5）的面相反的一侧设置的第2绝缘层（7），第1绝缘层（5）是散热性比第2绝缘层（7）高的绝缘层，第2绝缘层（7）是其绝缘性与第1绝缘层（5）的绝缘性相同或者比第1绝缘层（5）的绝缘性高的绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件；引线框架，与所述半导体元件连接；金属基体板，隔着第1绝缘层配置于所述引线框架；以及第2绝缘层，设置于所述金属基体板中的与配置了所述第1绝缘层的面相反的一侧，所述第1绝缘层是散热性比所述第2绝缘层高的绝缘层，所述第2绝缘层是其绝缘性与所述第1绝缘层的绝缘性相同或者比所述第1绝缘层的绝缘性高的绝缘层。
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