[发明专利]制备二有机二卤代硅烷的方法无效

专利信息
申请号: 201180059474.8 申请日: 2011-12-01
公开(公告)号: CN103261208A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 阿斯维尼·K·达什;查尔斯·艾伦·霍尔;D·卡佐利斯;罗伯特·托马斯·拉森;马修·J·麦克劳克林;J·D·瓦恩兰 申请(专利权)人: 道康宁公司
主分类号: C07F7/12 分类号: C07F7/12
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 高瑜;郑霞
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了一种制备二有机二卤代硅烷的方法,所述方法包括:在存在包含至少两种金属的金属催化剂的情况下和300℃至800℃的温度下使根据式RSiX3(I)的有机三卤代硅烷与氢气接触,形成二有机二卤代硅烷,其中R为C1-C10烃基,X为卤素,并且所述至少两种金属中的两者选自下列中的至少一者:(i)铜和钯,(ii)铜和金,(iii)铟和铱或(iv)铱和铼。
搜索关键词: 制备 有机 二卤代 硅烷 方法
【主权项】:
一种制备二有机二卤代硅烷的方法,所述方法包括:在存在包含至少两种金属的金属催化剂的情况下和300℃至800℃的温度下使根据式RSiX3(I)的有机三卤代硅烷与氢气接触,形成二有机二卤代硅烷,其中R为C1‑C10烃基,X为卤素,并且所述至少两种金属中的两者选自下列中的至少一者:(i)铜和钯,(ii)铜和金,(iii)铟和铱或(iv)铱和铼。
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