[发明专利]具有物理气相沉积形成氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管的制造在审
| 申请号： | 201180060112.0 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103262215A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 朱鸣伟;维韦卡·阿格拉沃尔;纳格·B·帕蒂班德拉;奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此描述具有物理气相沉积（PVD）形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管（LED）的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积（PVD）腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前述两种氮化镓。在另一实施例中，一种制造发光二极管（LED）结构的方法包括在多腔室系统的物理气相沉积（PVD）腔室中的衬底上方形成氮化铝层。在多腔室系统的第二腔室中将无掺杂或n型氮化镓层形成在氮化铝层上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 物理 沉积 形成 氮化 缓冲 发光二极管 制造 | ||
【主权项】：
一种多腔室系统，包括：物理气相沉积（PVD）腔室，所述PVD腔室具有包含铝的靶；以及适于沉积无掺杂的氮化镓，或n型的氮化镓，或前述两种氮化镓的腔室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
