[发明专利]处理苏打石灰硅玻璃基板表面的方法、表面处理的玻璃基板及使用其的装置有效
申请号: | 201180060423.7 | 申请日: | 2011-10-04 |
公开(公告)号: | CN103313950A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 斯科特·V·汤姆森 | 申请(专利权)人: | 葛迪恩实业公司 |
主分类号: | C03C17/00 | 分类号: | C03C17/00;C23C14/34;C03C17/245;C23C14/02;H01J37/305 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王程;何冲 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的某些示例性实施例涉及处理苏打石灰硅玻璃基板的表面的方法以及所产生的表面处理玻璃制品,例如苏打石灰硅碱离子玻璃基板。尤其是,本发明的某些示例性实施例涉及使用离子源除去玻璃基板的顶部表面部分的方法。除去此部分期间或之后,玻璃可然后被涂上另一层来用作覆盖层。在某些示例性实施例中,涂有覆盖层的玻璃基板可以用作LCD显示装置的颜色过滤器和/或TFT基板。在其他示例性实施例中,其上涂有覆盖层的玻璃基板可用在各种显示装置中。 | ||
搜索关键词: | 处理 苏打 石灰 玻璃 表面 方法 使用 装置 | ||
【主权项】:
一种制造涂层制品的方法,所述方法包括:使用至少第一离子源来离子束研磨玻璃基板的大致整个表面以将基板的厚度减少至少约100埃,其中玻璃基板包括大约67‑75%的SiO2、大约6‑20%的Na2O和大约5‑15%的CaO;和在所述离子束研磨期间或之后,通过离子束辅助沉积IBAD在基板的被离子束研磨的表面的至少一部分上形成包含AlSiOx的至少一个层,其中,所述IBAD使用至少一个溅射靶和至少第二离子源。
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