[发明专利]半导体晶片的洗净方法有效
| 申请号： | 201180060442.X | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103270580A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 椛泽均;阿部达夫 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/308 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶片的洗净方法，其是将半导体晶片洗净的方法，其特征在于，其包括下述工序：根据SC1洗净液来将前述半导体晶片洗净的工序；根据氢氟酸来将前述经SC1洗净液所洗净的半导体晶片洗净的工序；以及根据臭氧浓度是3ppm以上的臭氧水来将前述经氢氟酸所洗净的半导体晶片洗净的工序，并且，使由于前述SC1洗净液所造成的半导体晶片的蚀刻耗损成为0.1～2.0nm。由此，提供一种半导体晶片的洗净方法，其能够降低由于洗净所造成的晶片的表面粗糙度恶化，并且有效地进行晶片洗净。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 洗净 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片的洗净方法，其是将半导体晶片洗净的方法，其特征在于，其包括下述工序：根据SC1洗净液来将前述半导体晶片洗净的工序；根据氢氟酸来将前述经SC1洗净液所洗净的半导体晶片洗净的工序；以及根据臭氧浓度是3ppm以上的臭氧水来将前述经氢氟酸所洗净的半导体晶片洗净的工序，并且，使由于前述SC1洗净液所造成的半导体晶片的蚀刻耗损成为0.1～2.0nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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