[发明专利]等离子体CVD装置

摘要

本发明具备：真空腔室（4）；配置在该真空腔室（4）内，并且对作为成膜对象的基材（W）进行卷挂的一对成膜辊（2、2）；以及通过在成膜辊（2）的表面产生使等离子体发生的磁场，从而形成在被该成膜辊（2）卷挂的基材（W）上形成皮膜的成膜区域的磁场生成部（8、15），一对成膜辊（2、2）由第一成膜辊（2）和第二成膜辊（2）构成，所述第二成膜辊（2）以轴心与该第一成膜辊（2）相互平行的方式与该第一成膜辊（2）空开间隔进行设置，磁场生成部（8、15）以如下方式配置，即，作为成膜区域，在一对成膜辊（2、2）之间的相向空间（3）内形成第一成膜区域（19），并且在该相向空间（3）以外的空间的、与成膜辊（2）的表面邻接的区域形成第二成膜区域（20）。

主权项

一种等离子体CVD装置，其特征在于，具备：真空腔室；一对成膜辊，配置在该真空腔室内，并且对作为成膜对象的基材进行卷挂；以及磁场生成部，通过在所述成膜辊的表面产生使等离子体发生的磁场，从而形成在被该成膜辊卷挂的基材上形成皮膜的成膜区域，所述一对成膜辊由第一成膜辊和第二成膜辊构成，所述第二成膜辊以轴心与该第一成膜辊相互平行的方式与该第一成膜辊空开间隔而设置，所述磁场生成部以如下方式进行配置，即，作为所述成膜区域，在作为所述一对成膜辊之间的空间的相向空间内形成第一成膜区域，并且在作为该相向空间以外的空间的、与所述成膜辊的表面邻接的区域形成第二成膜区域。