[发明专利]具有多个栅极的纳米线场效应器件无效
| 申请号： | 201180061235.6 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103262243A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | S·F·卡格;K·E·莫塞伦德 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/775;H01L29/06;H01L29/78;B82Y40/00;B82Y10/00;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件(1)，该半导体器件(1)包括：至少一个纳米线(2)，被配置为包括：包括对应源极半导体材料的至少一个源极区域(3)、包括对应漏极半导体材料的至少一个漏极区域(4)和包括对应沟道半导体材料的至少一个沟道区域(5)，沟道区域(5)被布置在源极区域(3)与漏极区域(4)之间，至少一个栅极电极(6)，该至少一个栅极电极(6)相对于纳米线(2)被布置为沿周缘包围沟道区域(5)的至少一部分，以及至少一个应变栅极(7)，该至少一个应变栅极(7)相对于纳米线(2)被布置为沿周缘包围纳米线(2)的一段的至少一部分，应变栅极(7)被配置为向纳米线段(8)施加应变，以由此至少促进与源极区域(3)对应的能带相对于与沟道区域(5)对应的能带的改变。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 纳米 场效应 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(1)，包括：至少一个纳米线(2)，被配置为包括：包括对应源极半导体材料的至少一个源极区域(3)、包括对应漏极半导体材料的至少一个漏极区域(4)和包括对应沟道半导体材料的至少一个沟道区域(5)，所述沟道区域(5)被布置在所述源极区域(3)与所述漏极区域(4)之间，至少一个栅极电极(6)，所述至少一个栅极电极(6)相对于所述纳米线(2)被布置为沿周缘包围所述沟道区域(5)的至少一部分，以及至少一个应变栅极(7)，所述至少一个应变栅极(7)相对于所述纳米线(2)被布置为沿周缘包围所述纳米线(2)的一段的至少一部分，所述应变栅极(7)被配置为向所述纳米线段(8)施加应变，以由此至少促进与所述源极区域(3)对应的能带相对于与所述沟道区域(5)对应的能带的改变。
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