[发明专利]半导体装置和显示装置有效
| 申请号： | 201180061376.8 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103270601A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 守口正生;神崎庸辅;高西雄大;楠见崇嗣;松木园广志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置（100）为具有薄膜晶体管（10）的半导体装置，包括：形成在基板（60）之上的薄膜晶体管（10）的栅极电极（62）；形成在栅极电极（62）之上的栅极绝缘层（66）；形成在栅极绝缘层（66）之上的氧化物半导体层（68）；和配置在氧化物半导体层（68）之上的源极电极（70s）和漏极电极（70d）；形成在氧化物半导体层（68）、源极电极（70s）和漏极电极（70d）之上的保护层（72）；形成在保护层（72）之上的供氧层（74）；和形成在供氧层之（74）之上的扩散防止层（78）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括薄膜晶体管，所述半导体装置的特征在于，包括：形成在基板之上的、所述薄膜晶体管的栅极电极；形成在所述栅极电极之上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；形成在所述氧化物半导体层之上的、所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极；形成在所述氧化物半导体层、所述源极电极和所述漏极电极之上的保护层；形成在所述保护层之上的供氧层；和形成在所述供氧层之上的扩散防止层。
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