[发明专利]氮化镓烧结体或氮化镓成形物以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201180061618.3 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103270000A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 召田雅实;松丸庆太郎;高桥小弥太;菊池僚;涩田见哲夫 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B41/88;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供不使用特殊装置的、高密度且低氧量的氮化镓烧结体或氮化镓成形体。根据第一实施方式，可以获得一种氮化镓烧结体，其特征在于，密度为2.5g/cm3以上且低于5.0g/cm3，基于X射线衍射测定的氧化镓的(002)面的峰相对于氮化镓的(002)面的峰强度比低于3%。根据第二实施方式，可以获得一种金属镓浸透氮化镓成形物，其特征在于，其包含以各自的相的形式存在的氮化镓相和金属镓相，Ga/(Ga＋N)的摩尔比为55%以上且80%以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 烧结 成形 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓烧结体，其特征在于，该氮化镓烧结体的密度为2.5g/cm3以上且低于5.0g/cm3，基于X射线衍射测定的氧化镓的(002)面的峰相对于氮化镓的(002)面的峰强度比低于3%。
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