[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201180061835.2 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103270602A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 森田晋也;三木绫;安野聪;钉宫敏洋;岸智弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有In、Zn、和选自Al、Si、Ta、Ti、La、Mg及Nb中的至少一种元素(X组元素)。根据本发明，可提供一种薄膜晶体管半导体层用氧化物，其具备不含Ga的In-Zn-O氧化物半导体的薄膜晶体管的开关特性及耐应力性良好，特别是正偏压应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体 氧化物 溅射 以及 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的半导体层用氧化物，其是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其特征在于，所述氧化物含有In、Zn、和选自Al、Si、Ta、Ti、La、Mg及Nb中的至少一种元素即X组元素。
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