[发明专利]半色调掩模、半色调掩模坯料及半色调掩模的制造方法有效
申请号: | 201180062123.2 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN103299241A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 中村大介;影山景弘 | 申请(专利权)人: | 爱发科成膜株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 徐川;张颖玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种在使用浓硫酸的洗净处理中可对刻蚀阻挡层的侧蚀进行抑制的半色调掩模。所述半色调掩模具有透光部(TA)、半透光部(HA)和遮光部(PA)。遮光部(PA)包括基材(S)、半透光层11、设置在半透光层上且由Cr或Cr的化合物形成的遮光层(13)以及设置在半透光层(11)和遮光层(13)之间的刻蚀阻挡层(12)。刻蚀阻挡层(12)含有第一元素、第二元素。所述第一元素由选自Mo和W构成的组中的至少一种元素构成,且具有6.4mol%以上且38.2mol%以下的组成比。所述第二元素由选自Zr、Nb、Hf和Ta构成的组中的至少一种元素构成。 | ||
搜索关键词: | 色调 坯料 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半色调掩模,包括:透光部,包括透光性的基材;半透光部,包括所述基材和设置在所述基材上且由铬或铬的化合物形成的半透光层;遮光部,包括所述基材、所述半透光层、设置在所述半透光层上且由铬或铬的化合物形成的遮光层以及设置在所述半透光层和所述遮光层之间的刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层含有第一元素和第二元素,所述第一元素由选自钼和钨构成的组中的至少一种元素构成,且具有6.4mol%以上且38.2mol%以下的组成比,所述第二元素由选自锆、铌、铪和钽构成的组中的至少一种元素构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱发科成膜株式会社,未经爱发科成膜株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180062123.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备