[发明专利]阻气性塑料成型体的制造方法有效
申请号: | 201180062773.7 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN103314131A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 中谷正树;泷口绿;清水真里;佐藤爱子;田渕博康;松井荣太朗 | 申请(专利权)人: | 麒麟麦酒株式会社 |
主分类号: | C23C16/42 | 分类号: | C23C16/42;B65D1/00;B65D23/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的为提供一种阻气性塑料成型体的制造方法,其仅使用高安全性的原料气,利用发热体CVD法在塑料成型体的表面上形成实质上无色且具有阻气性的阻气薄膜。本发明涉及的阻气性塑料成型体的制造方法是在塑料成型体(91)的表面上形成阻气薄膜(92)的阻气性塑料成型体(90)的制造方法,其具有成膜工序,所述成膜工序使用以通式(化学式1)所表示的有机硅烷系化合物作为主要原料气、使用氧化气体作为添加气并且使用包含钽(Ta)作为主要组成元素的发热体,利用发热体CVD法在塑料成型体的表面上形成阻气薄膜(92)。(化学式1)H3Si-Cn-X,在化学式1中,n为2或3;X为SiH3、H或NH2。 | ||
搜索关键词: | 气性 塑料 成型 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阻气性塑料成型体的制造方法,其在塑料成型体的表面上形成阻气薄膜,其特征在于,该制造方法具有成膜工序,所述成膜工序使用以通式(化学式1)所表示的有机硅烷系化合物作为主要原料气、使用氧化气体作为添加气、并且使用包含钽(Ta)作为主要组成元素的发热体,利用发热体CVD法在上述塑料成型体的表面上形成所述阻气薄膜,(化学式1) H3Si‑Cn‑X在化学式1中,n为2或3;X为SiH3、H或NH2。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的