[发明专利]用于控制异质外延生长的III族氮化物层的应力的层结构无效
| 申请号： | 201180063923.6 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103314429A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 斯塔西亚·凯勒;尼古拉斯·费希滕鲍姆 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张颖;谢丽娜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种III-N层结构，其包含在异质基材上的III-N缓冲层、附加的III-N层、第一III-N结构和第二III-N层结构。在III-N缓冲层之上的第一III-N结构包含至少两个III-N层，每个III-N层具有铝组成，并且这两个III-N层中更接近于III-N缓冲层的III-N层具有更大的铝组成。第二III-N结构包含III-N超晶格，所述III-N超晶格包含与至少两个III-N势垒层相互交错的至少两个III-N势阱层。第一III-N结构和第二III-N结构在附加的III-N层和异质基材之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 外延 生长 iii 氮化物 应力 结构 | ||
【主权项】：
III‑N层结构，其包含：在异质基材上的III‑N缓冲层；附加的III‑N层；在III‑N缓冲层之上的第一III‑N结构，其包含至少两个III‑N层，每个III‑N层具有铝组成，并且这两个III‑N层中更接近于III‑N缓冲层的III‑N层具有更大的铝组成；以及第二III‑N结构，其包含III‑N超晶格，所述III‑N超晶格包含与至少两个III‑N势垒层相互交错的至少两个III‑N势阱层，每个势阱层和每个势垒层具有铝组成，其中第一III‑N结构和第二III‑N结构在附加的III‑N层和异质基材之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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