[发明专利]有机发光二极管及其制造方法、图像显示装置及照明装置

摘要

本发明涉及有机发光二极管及其制造方法，该有机发光二极管的特征在于，至少依次层叠有阳极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的有机EL层、和由Ag或Ag的含有率为70质量%以上的合金或者由Al或Al的含有率为70质量%以上的合金形成的阴极导电层，在前述阴极导电层的前述有机EL层侧的表面设置有多个凹部周期性地二维排列而成的二维点阵结构、或者设置有多个凸部周期性地二维排列而成的二维点阵结构，源自有机发光二极管的光的提取波长(nm)与前述二维点阵结构中的前述凹部或前述凸部的中心间的距离p(nm)在表示它们的关系的图中处于用特定的座标(例如A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、A等)依次连接而成的直线包围的区域内，并且前述凹部的深度或前述凸部的高度为12nm以上且180nm以下。根据本发明，可以提供光提取效率优异的有机发光二极管及其制造方法、具备前述有机发光二极管的图像显示装置和照明装置。

主权项

一种有机发光二极管，其特征在于，其在基板上至少依次层叠有阳极导电层、具有含有有机发光材料的发光层的有机电致发光层、和由Ag或Ag的含有率为70质量%以上的合金形成的阴极导电层，在所述阴极导电层的所述有机电致发光层侧的表面设置有多个凹部周期性地二维排列而成的二维点阵结构，源自有机发光二极管的光的提取波长λ(nm)与所述二维点阵结构中的所述凹部的中心间的距离p(nm)在表示它们的关系的图中处于用下述座标A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、A依次连接而成的直线包围的区域内，并且所述凹部的深度为12nm以上且180nm以下，A(λ=450、p=258+W(1/2))、B(λ=500、p=319+W(1/2))、C(λ=600、p=406+W(1/2))、D(λ=700、p=484+W(1/2))、E(λ=800、p=561+W(1/2))、F(λ=800、p=493‑W(1/2))、G(λ=700、p=425‑W(1/2))、H(λ=600、p=353‑W(1/2))、I(λ=500、p=262‑W(1/2))、J(λ=450、p=110‑W(1/2))，在此，W(1/2)表示构成所述发光层的发光材料的光谱中的发光峰的半峰半宽。