[发明专利]用于发光装置的改进分割的方法和设备无效
| 申请号： | 201180064359.X | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103348463A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 欧文·凯尔;强纳森·哈德曼;裘安·贾辛 | 申请（专利权）人： | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是用于对在衬底上制造的发光电子装置进行激光辅助分割的系统和方法，所述衬底具有加工表面和从加工表面延伸的深度。所述方法包括：提供激光加工系统，所述系统具有皮秒激光器，所述激光器具有可控参数；控制激光器参数以便从皮秒激光器形成光脉冲，从而形成变化区域，所述区域具有贯穿衬底深度的约50%的深度并且大致上包括衬底的加工表面并且具有小于区域深度的约5%的宽度；以及通过对衬底施加机械应力来将衬底分割，由此将衬底分裂成具有侧壁的所述发光电子装置，所述侧壁至少部分地与线性变化区域协作来形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发光 装置 改进 分割 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于对在衬底上制造的发光电子装置进行激光辅助分割的方法，所述衬底具有加工表面和从所述加工表面延伸的深度，所述方法包括：提供激光加工系统，所述系统具有皮秒激光器，所述激光器具有可选择的参数；选择所述激光器参数以便从所述皮秒激光器形成光脉冲，从而形成变化区域，所述区域具有贯穿所述深度的约50%以上的深度并且大致上包括所述衬底的所述加工表面并且具有小于所述区域深度的约5%的宽度；以及通过对所述衬底施加机械应力来将所述衬底分割，由此将所述衬底分裂成具有侧壁的所述发光电子装置，所述侧壁至少部分地与所述线性变化区域协作来形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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