[发明专利]降低在多道炉中生长的半导体结晶片的电阻率范围的方法

摘要

本发明公开了一种用于降低在多道生长炉中生产的半导体结晶片的电阻率范围的方法。提供了一种用于生长结晶片的炉，其包括具有材料导入区和包括多个晶体片生长道的晶体生长区的坩埚。所述坩埚被配置成产生从所述材料导入区朝向离材料导入区最远的晶体片生长道的总体单向的材料流动。将以高于痕量的量掺杂有p-型掺杂剂和n-型掺杂剂两者的硅导入到所述材料导入区中。掺杂的硅在坩埚中形成被称为熔体的熔融物质。在所述晶体生长区的每个生长道处从所述熔体形成结晶片。对所述硅进料进行共掺杂能够降低在各条道中形成的结晶片之间的电阻率变动。

主权项

生长结晶半导体片的方法，所述方法包括：提供结晶片生长炉，所述炉包括配置有材料导入区和包括多个晶体片生长道的晶体生长区的坩埚，所述坩埚被配置成产生从所述导入区朝向离材料导入区最远的晶体片生长道的总体单向的材料流动；在所述材料导入区处接收掺杂有p‑型掺杂剂和n‑型掺杂剂的硅，其中所述n‑型掺杂剂与所述p‑型掺杂剂的以重量计的浓度比超过0.1，掺杂的硅形成熔体；以及在至少两个结晶片生长道中从所述熔体生长p‑型结晶片。