[发明专利]自适应静电放电(ESD)保护电路有效
| 申请号： | 201180066374.8 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103339727A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·德瓦尔;尼古拉斯·富雷尔;巴尔特·德耶特 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了进行自适应静电放电ESD保护，一种具有自适应静电放电ESD保护的集成电路装置具有：受保护免于ESD的外部连接引脚；外部接地连接引脚；自适应静电放电ESD保护电路，所述自适应静电放电ESD保护电路具有：ESD保护N金属氧化物半导体NMOS晶体管，所述ESD保护N金属氧化物半导体NMOS晶体管具有连接到所述外部连接引脚的漏极以及连接到接地的源极及本体；电阻器，所述电阻器耦合于所述NMOS晶体管的栅极与接地之间；第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有耦合到所述NMOS晶体管的栅极的源极及连接到接地的漏极；第一电容器，所述第一电容器具有连接到所述外部连接引脚的第一端子及与所述NMOS晶体管的所述栅极耦合的第二端子，其中所述自适应ESD保护电路内的所述第一电容器是连接到所述外部连接引脚的唯一电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 自适应 静电 放电 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种具有自适应静电放电ESD保护的集成电路装置，其包括：受保护免于ESD的外部连接引脚；外部接地连接引脚；自适应静电放电ESD保护电路，其包括：ESD保护N金属氧化物半导体NMOS晶体管，其具有连接到所述外部连接引脚的漏极以及连接到接地的源极及本体；电阻器，其耦合于所述NMOS晶体管的栅极与接地之间；第一PMOS晶体管，其具有耦合到所述NMOS晶体管的栅极的源极及连接到接地的漏极；第一电容器，其具有连接到所述外部连接引脚的第一端子及与所述NMOS晶体管的所述栅极耦合的第二端子，其中所述自适应ESD保护电路内的所述第一电容器是连接到所述外部连接引脚的唯一电容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于密克罗奇普技术公司，未经密克罗奇普技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180066374.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
