[发明专利]等离子体蚀刻装置部件及其制造方法

摘要

本发明提供等离子体蚀刻装置部件1，所述部件包括基材1和通过冲击烧结方法形成的、并构造为覆盖基材表面的氧化钇涂层20。所述氧化钇涂层20包含颗粒部分和非颗粒部分的至少一种。所述氧化钇涂层20的膜厚度为10μm或以上，并且膜密度为90%或以上。颗粒部分的面积覆盖率为0～80%而非颗粒部分的面积覆盖率为20～100%。

主权项

一种等离子体蚀刻装置部件，其包括：基材；和通过冲击烧结方法形成的、并构造为覆盖所述基材的表面的氧化钇涂层，其中所述氧化钇涂层包含由氧化钇制得的颗粒部分和由氧化钇制得的非颗粒部分的至少一种，其中所述颗粒部分是在显微镜下观察到分隔晶粒内部区域和外部区域的晶粒边界的部分，所述非颗粒部分是在显微镜下未观察到晶粒边界的部分，所述氧化钇涂层的膜厚度为10μm或以上，膜密度为90%或以上，并且当在显微镜下观察所述氧化钇涂层的表面时，在20μm×20μm的观察视野中，所述颗粒部分的面积覆盖率为0～80%，所述非颗粒部分的面积覆盖率为20～100%。