[发明专利]半导体层叠体、半导体装置，以及它们的制造方法

摘要

提供半导体装置的制造方法。另外，能使用该方法获得的半导体装置，以及能够用于该方法的分散体。制造半导体装置（500a）的本发明的方法包含下述工序（a）～（c），且第1掺杂剂注入层（52）的晶体取向与由半导体元素形成的半导体层或基材（10）的晶体取向相同：（a）对层或基材的特定部位适用含有经过掺杂的粒子的分散体，和（b）将适用的分散体干燥，形成未烧结掺杂剂注入层，以及（c）通过对未烧结掺杂剂注入层进行光照射，对层或基材的特定部位通过p型或n型掺杂剂进行掺杂，同时使未烧结掺杂剂注入层烧结，形成与层或基材一体化的掺杂剂注入层。

主权项

半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有由半导体元素形成的半导体层或基材、以及所述半导体层或基材上的第1掺杂剂注入层，所述半导体装置的制造方法包含下述工序（a）～（c），且第1掺杂剂注入层的晶体取向与所述半导体层或基材的晶体取向相同，且/或所述掺杂剂的浓度，在从所述第1掺杂剂注入层的表面至0.1μm深度中为1×1020atoms/cm3以上，且在从所述第1掺杂剂注入层的表面至0.3μm深度中，其浓度为深度0.1μm的1/10以下；工序（a）～（c）：（a）对所述半导体层或基材的第1部位适用含有第1粒子的第1分散体，这里，所述第1粒子本质上由与所述半导体层或基材相同的元素形成，且通过p型或n型掺杂剂进行了掺杂；（b）将适用的所述第1分散体干燥，形成第1未烧结掺杂剂注入层；以及（c）通过对所述第1未烧结掺杂剂注入层进行光照射，将所述半导体层或基材的所述第1部位通过所述p型或n型掺杂剂进行掺杂，同时使所述第1未烧结掺杂剂注入层烧结，形成与所述半导体层或基材一体化的第1掺杂剂注入层。