[发明专利]具扩充型电荷捕获层的存储器有效
| 申请号： | 201180068369.0 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103392232A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | S·房;T-S·陈;C·陈 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 存储器阵列包括多个位线和多个字线、栅极区及电荷捕获层。电荷捕获层宽于字线；电荷捕获层扩充超出栅极区的边缘以促进补捉以及移除电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 扩充 电荷 捕获 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列，其包含：多个位线；以及多个字线，其包括第一字线与第二字线，其中，该第一字线包含相邻于第一电荷捕获层并且相邻于第一分隔物的第一栅极区，其中，该第二字线包含相邻于第二电荷捕获层并且相邻于第二分隔物的第二栅极区，其中，该第一电荷捕获层宽于该第一字线并且该第二电荷捕获层宽于该第二字线，其中，进一步介于该第一和第二分隔物与第一和第二电荷捕获层之间的区域以介电质材料予以填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
