[发明专利]键合线及其制造方法有效
| 申请号： | 201180068538.0 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103597590A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 长谷川刚 | 申请（专利权）人： | 大自达电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01B5/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于通过球焊法将集成电路元件的电极（a）与电路配线基板的导体配线（c）连接的线径L在50.8μm以下的键合线（W）。其中，芯材（1）含有10～50质量ppm的P，其余部分由铜和不可避免的杂质构成，在该芯材（1）外周的整个面上形成由Pd构成的厚度t2为0.010～0.090μm的被覆层（2），再在其表面上形成厚度t3为0.0001～0.0005μm的碳浓缩层（3）。此外，使通过室温下的拉伸试验测得的拉伸强度（TSR）与250℃下的拉伸试验测得的拉伸强度（TSH）之比（HR＝TSH/TSR×100）为50～70％，该碳浓缩层（3）通过拉丝时的润滑剂的清洗程度而形成，从而形成满足集成电路间缩小化要求的、具有稳定键合强度的在纯铜上镀覆有Pd的键合线。 | ||
| 搜索关键词： | 键合线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
键合线，其是用于通过球焊法将集成电路元件的电极（a）与电路配线基板的导体配线（c）连接的线径L在50.8μm以下的键合线（W），其中，芯材（1）由纯度为99.99质量％以上的铜和不可避免的杂质构成，该芯材（1）外周的整个面上形成有由Pd构成的厚度t2为0.010～0.090μm的被覆层（2），且在炉温度为400℃以上、800℃以下，线行进速度为30～90m/分的条件下进行调质热处理，使由室温下的拉伸试验测得的拉伸强度TSR与由250℃下的拉伸试验测得的拉伸强度TSH之比即HR＝TSH/TSR×100为50～70％，由所述铜构成的芯材（1）的重结晶组织与粗大化的二次重结晶组织的边界难以发生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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