[发明专利]粒子射线照射系统以及粒子射线照射系统的控制方法有效
申请号: | 201180068576.6 | 申请日: | 2011-03-02 |
公开(公告)号: | CN103402581A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 本田泰三;池田昌广 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | A61N5/10 | 分类号: | A61N5/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种能更高速地对照射目标提供更高精度的剂量分布的粒子射线照射系统。本发明的粒子射线照射系统包括:扫描用偏转电磁铁,该扫描用偏转电磁铁使粒子射线发生偏转并对其进行扫描;以及能量宽度扩大设备,该能量宽度扩大设备用于扩大粒子射线的能量宽度,从而在照射目标的深度方向,即粒子射线的照射方向上形成SOBP,能量宽度扩大设备构成为对照射目标的深度方向上的整个照射区域形成深度方向上的SOBP,并对扫描用偏转电磁铁进行控制,以使得粒子射线在照射目标上形成的照射点在上述照射目标的上述横向上的整个照射区域呈阶梯状移动。 | ||
搜索关键词: | 粒子 射线 照射 系统 以及 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种粒子射线照射系统,具有:包括加速器的粒子射线发生部;将由该粒子射线发生部产生的粒子射线向照射目标照射的照射喷嘴;以及对照射出的粒子射线进行控制的照射控制部,所述照射喷嘴包括:扫描用偏转电磁铁,在与所述粒子射线的照射方向相正交的横向的二维方向上,该扫描用偏转电磁铁使所述粒子射线发生偏转并进行扫描;以及能量宽度扩大设备,该能量宽度扩大设备用于扩大粒子射线的能量宽度,并在所述照射目标的深度方向即所述粒子射线的照射方向上形成SOBP,所述粒子射线照射系统的特征在于,所述能量宽度扩大设备构成为对所述照射目标的深度方向上的整个照射区域形成所述深度方向上的SOBP,所述照射控制部对所述扫描用偏转电磁铁进行控制,以使得由所述粒子射线在所述照射目标上形成的照射点会在所述照射目标的所述横向的整个照射区域上呈阶梯状移动。
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