[发明专利]半导体器件

摘要

在半导体器件中，有源区域（AR12）包含：施加预定的电压的第一杂质区域（NI11）、构成一个绝缘栅型的场效应晶体管（MN12a）的一对导通电极的第二和第三杂质区域（NI13、NI14）、以及在第一和第二杂质区域之间配置的至少一个杂质区域（NI12）。向在第二和第三杂质区域之间配置的栅极电极（G13）施加使第二和第三杂质区域之间电气导通的电压。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的栅极电极（G11、G12）成为一直与第一杂质区域（NI11）电气连接的结构。在第一和第二杂质区域之间配置的全部的杂质区域（NI12）从第一和第二杂质区域电气分离而维持在浮置状态。

主权项

一种半导体器件，其特征在于包括：有源区域，形成在半导体衬底的主表面上，包含一维状地排列的同一导电类型的多个杂质区域；以及多个栅极电极，在俯视上述半导体衬底的主表面时，在上述多个杂质区域的相邻的两个杂质区域之间各设置一个，且每一个和与其相邻的两个杂质区域一起构成绝缘栅型场效应晶体管，上述多个杂质区域包含：被施加预定的电压的第一杂质区域、构成一个绝缘栅型的场效应晶体管的一对导通电极的第二和第三杂质区域、以及配置在上述第一和第二杂质区域之间的至少一个杂质区域；向在上述多个栅极电极中的配置在上述第二和第三杂质区域之间的栅极电极施加使上述第二和第三杂质区域之间电气导通的电压；上述多个栅极电极中的配置在上述第一和第二杂质区域之间的全部的栅极电极成为与上述第一杂质区域一直电气连接的结构；上述多个杂质区域中的配置在上述第一和第二杂质区域之间的全部的杂质区域，通过向配置在上述第一和第二杂质区域之间的全部的栅极电极施加上述预定的电压，从上述第一和第二杂质区域电气分离而维持在浮置状态，上述多个杂质区域还包含：第四和第五杂质区域，构成另一个绝缘栅型场效应晶体管的源极电极和漏极电极中的一方和另一方；以及至少一个杂质区域，配置在上述第一和第四杂质区域之间；上述第一杂质区域配置在上述第二和第四杂质区域之间；向上述多个栅极电极中的配置在上述第四和第五杂质区域之间的栅极电极施加使上述第四和第五杂质区域之间电气导通的电压；上述多个栅极电极中的配置在上述第一和第四杂质区域之间的全部的栅极电极成为一直与上述第一杂质区域电气连接的结构；通过向配置在上述第一和第四杂质区域之间的全部的栅极电极施加上述预定的电压，在上述第一和第四杂质区域之间配置的全部的杂质区域从上述第一和第四杂质区域电气分离而维持在浮置状态。