[发明专利]半导体发光器件及用于制造其的方法有效
| 申请号： | 201180068941.3 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN103403888A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 小岛章弘;藤井孝佳;杉崎吉昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：半导体层、p侧电极（16）、n侧电极（17）、和无机膜（30）。半导体层包括具有不平坦性的第一表面（15a）、与第一表面相对的第二表面、以及发光层（13）。该半导体层包括氮化镓。p侧电极（16）被设置在包括发光层（13）的区域中的第二表面上。n侧电极（17）被设置在不包括发光层的区域中的第二表面上。无机膜被设置为遵从第一表面的不平坦性，并与所述第一表面接触。无机膜的主要成分为硅和氮。无机膜的折射率介于氮化镓的折射率和空气的折射率之间。也在无机膜的表面中形成不平坦性。 | ||
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【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：半导体层，其包括具有不平坦性的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、以及发光层，所述半导体层包括氮化镓；p侧电极，其被设置在包括所述发光层的区域中的所述第二表面上；n侧电极，其被设置在不包括所述发光层的区域中的所述第二表面上；以及无机膜，其被设置为遵从所述第一表面的所述不平坦性并且与所述第一表面接触，所述无机膜的主要成分为硅和氮，而且所述无机膜的折射率介于氮化镓的折射率和空气的折射率之间，不平坦性也被形成在所述无机膜的表面中。
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